Notice: Undefined index: linkPowrot in C:\wwwroot\wwwroot\publikacje\publikacje.php on line 1275

Publikacje

[1742] Artykuł:

Poprawa właściwości półprzewodnikowych laserów z sekcją trapezową

(lmprovement of semiconductor lasers properties with tapered section)
Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania Tom: 44, Zeszyt: 5-6, Strony: 5-8
ISSN: 0033-2089
Opublikowano: 2003

Autorzy / Redaktorzy / Twórcy

Imię i nazwisko	Wydział	Katedra	Procent udziału	Liczba punktów
Radosław Belka	WEAiI	Katedra Telekomunikacji, Fotoniki i Nanomateriałów *****	100	4.00

Grupa MNiSW: Publikacja w recenzowanym czasopiśmie wymienionym w wykazie ministra MNiSzW (część B)
Punkty MNiSW: 4

YADDA/CEON

Słowa kluczowe:

optoelektronika lasery półprzewodnikowe efekty nieliniowe ogranicznik wiązki

Keywords:

optoelectronics semiconductor lasers non-linear effects beam spoiler

Streszczenie:

Badania nad zwiększaniem mocy laserów półprzewodnikowych są prowadzone od wielu lat. Jedną z prostszych i tańszych metod pozwalających na uzyskanie większej mocy wyjściowej jest modyfikacja kształtu obszaru aktywnego lasera poprzez zastosowanie sekcji trapezowej. W artykule przedstawiono strukturę, wtasności, i parametry tego typu laserów, a także krótki opis zastosowanej techniki symulacyjnej. Zwrócono uwagę na możliwość poprawy jakości niektórych parametrów poprzez zastosowanie ogranicznika wiązki.

Abstract:

The high-power semiconductor lasers have been investigated for many years. Modification of quantum well shape by adding of tapered section is one of cheaper and easier way to obtaining of larger output power in these laser. I this paper the structure, properties and parameters of tapered lasers, as well as short description of simulation model have been presented. Special attention was paid on improvement of beam properties by using of beam spoiler.

POWRÓT

Strona główna > Publikacje