Notice: Undefined index: linkPowrot in C:\wwwroot\wwwroot\publikacje\publikacje.php on line 1275
Publikacje
Pomoc (F2)
[34582] Artykuł:

Charakteryzacja warstw C-Ni otrzymanych w procesie PVD za pomocą spektroskopii FTIR i Ramana

(FTIR and Raman studies of C-Ni films prepared by PVD method)
Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania   Zeszyt: 8, Strony: 37-38
ISSN:  0033-2089
Opublikowano: 2011
 
  Autorzy / Redaktorzy / Twórcy
Imię i nazwisko Wydział Katedra Procent
udziału
Liczba
punktów
Justyna Kęczkowska orcid logoWEAiIKatedra Systemów Informatycznych *336.00  
A. Kamińska33.00  
K. Molenda33.00  

Grupa MNiSW:  Publikacja w recenzowanym czasopiśmie wymienionym w wykazie ministra MNiSzW (część B)
Punkty MNiSW: 6


Web of Science LogoYADDA/CEON    
Słowa kluczowe:

spektroskopia FTIR  spektroskopia Ramana  warstwy węglowo-niklowe 


Keywords:

FTIR spectroscopy  Raman spectroscopy  carbonaceous-nickel films 



Streszczenie:

W pracy zastosowano spektroskopię FTIR oraz Ramana do charakteryzacji struktury molekularnej nanostrukturalnych warstw węglowo-niklowych. Techniki te pozwoliły na potwierdzenie obecności w badanych warstwach octanu niklu oraz fullerenu, które nie uległy całkowitemu rozkładowi podczas procesu PVD. Spektroskopia FTIR umożliwiła również określenie wpływu parametrów technologicznych osadzania warstw na ich strukturę molekularną.




Abstract:

In this work FTIR and Raman spectroscopy was used for characterization of the molecular structure of nanostructural carbonaceous-nickel films. These techniques allowed to confirm the presence of not completely decomposed nickel acetate and fullerene in the investigated films. FTIR spectroscopy has also enabled to determine the influence of technological parameters of PVD process on the films molecular structure.



B   I   B   L   I   O   G   R   A   F   I   A
[1] Czerwosz E., Kozłowski M., Kowalska E., Radomska J., Rymarczyk J., Wronka H.: Elektronika 7 (2009), 117-119.
[2] Czerwosz E., Kowalska E., Kozłowski M.: Elektronika 7 (2008), 46-48.
[3] Czerwosz E.: Elektronika 1 (1998), 17-20.
[4] Guan H., Zhou W., Fu S., Shao C., Liu Y.: J. Phys. Chem. Solids 70 (2009), 1374-1377.
[5] Byszewski R., Klusek Z.: Opto-Electron. Rev. 9(2) (2001), 203-210.
[6] Kuzmany H., Pfeiffer R., Hulman M., Kramberger Ch.: Phil. Trans. R. Soc. Lond. A 362 (2004), 2375-2406.
[7] Lebedkin S., Gromov A., Giesa S., Gleiter R., Renker B., Rietschel H., Kratschmer W.: Chemical Physics Letters vol. 285, Issues 3-4 (1998), 210-215.